外媒報導，Apple 下代旗艦手機 iPhone 18 Pro 系列傳出規格降級。目前傳出 Apple 為了平衡不斷攀升的零件成本並維持高利潤，計劃將高容量的 1TB 與 2TB 版本，由現行的 TLC 快閃記憶體（NAND Flash）改為速度較慢、耐用度較低的 QLC 快閃記憶體，而且售價不降反升。

據《Wccftech》報導，根據代工廠流出的消息，未來 iPhone 18 Pro 與 iPhone 18 Pro Max 的 256GB 和 512GB 版本，仍會繼續採用由 SK Hynix、Kioxia 及 SanDisk 提供的 TLC 快閃記憶體。然而，購買 1TB 與 2TB 高容量最高規格版本的消費者，可能會面臨寫入速度變慢的潛在風險。

目前已知，在 1TB 版本方面主要採用 SK Hynix 供應的「BC8Q-1T」QLC 晶片，僅有極低機率會混用 Samsung 的 3DV8 TLC 晶片。

至於最高規格的 2TB 版本情況更為嚴峻，傳將全面換用 SK Hynix 的「BC8Q-2T」QLC 快閃記憶體，其隨機 4K 讀寫效能（Random 4K performance）表現可能並不理想。作為對比，前代 iPhone 17 Pro Max 的 2TB 版本仍使用 TLC 快閃記憶體。

一般而言，TLC（三層式儲存格）每顆儲存格可儲存 3 位元數據，具備較快且穩定的寫入速度與更高的耐用度，但生產成本較高；而 QLC（四層式儲存格）雖然儲存密度高、成本低，但其寫入速度容易出現大幅波動，且理論壽命普遍不及 TLC。

市場分析指出，Apple 此舉主要出於成本考慮。早前有報導指，受全球半導體供應短缺影響，單是 256GB iPhone 18 Pro 的快閃記憶體晶片成本，就由前代同規格的 13 美元暴漲至 51 美元。容量越大成本越高，所以不難理解為何 Apple 會改用 QLC 快閃記憶體，只能說「不喜勿買」。